2N70NL Todos los transistores

 

2N70NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N70NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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2N70NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1933K  jilin sino
jcs2n70v jcs2n70r 2n70nl.pdf

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N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 700 V Rdson-max 6.5 Vgs=10V Qg-typ 10.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U

 9.1. Size:589K  silan
svf2n70m svf2n70mj svf2n70f svf2n70d svf2n70nf svf2n70mn.pdf

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SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A650V N 2SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251-3L1132

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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