JCS10N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS10N65S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: TO263
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JCS10N65S datasheet
jcs10n65f jcs10n65c jcs10n65b jcs10n65s.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A VDSS 650 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 30 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
jcs10n65bt jcs10n65st jcs10n65ct jcs10n65ft.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE
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History: JCS10N70F | 80N03
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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