JCS12N65CEI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS12N65CEI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 75.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 168 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS12N65CEI
JCS12N65CEI Datasheet (PDF)
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
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