JCS13AN50BC Todos los transistores

 

JCS13AN50BC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS13AN50BC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS13AN50BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1649K  jilin sino
 jcs13an50bc jcs13an50sc jcs13an50cc jcs13an50fc.pdf pdf_icon

JCS13AN50BC

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.45 Qg 32.1 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

 9.1. Size:1016K  1
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JCS13AN50BC

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 9.2. Size:1655K  jilin sino
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JCS13AN50BC

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

 9.3. Size:1016K  jilin sino
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JCS13AN50BC

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

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History: NP75N04VDK | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | IRF9393PBF | WFY3N02 | APT904R2AN | SVF1N60AM

 

 
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