JCS15N65CEI Todos los transistores

 

JCS15N65CEI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS15N65CEI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 52.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JCS15N65CEI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1723K  jilin sino
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JCS15N65CEI

N RN-CHANNEL MOSFET JCS15N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 15A VDSS 650V Rdson-max 0.52 Vgs=10V Qg-Typ 52.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1109K  jilin sino
 jcs15n65fh.pdf pdf_icon

JCS15N65CEI

N RN-CHANNEL MOSFET JCS15N65H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 15.0 A VDSS 650 V Rdson-Max 0.55 @Vgs=10V Qg-Typ 35.2 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 7.1. Size:2166K  jilin sino
 jcs15n60ch jcs15n60fh jcs15n60bh jcs15n60sh.pdf pdf_icon

JCS15N65CEI

N RN-CHANNEL MOSFET JCS15N60H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 15 A VDSS 600 V 0.52 (MAX) Rdson-maxVgs=10V 0.45 (TYP) Qg 35.7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based o

 8.1. Size:811K  jilin sino
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JCS15N65CEI

N RN-CHANNEL MOSFET JCS15N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 15.0 A VDSS 700 V Rdson-max 0.55 @Vgs=10V Qg-typ 44.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS F

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History: IXFQ34N50P3 | BSZ009NE2LS5

 

 
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