JCS20N60WH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS20N60WH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: TO247

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JCS20N60WH datasheet

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JCS20N60WH

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JCS20N60WH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N60FH Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 600V Rdson-max 0.39 Vgs=10V Qg-Typ 50nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

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JCS20N60WH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650V Rdson-max 0.42 Vgs=10V Qg-Typ 64.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 7.2. Size:826K  jilin sino
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JCS20N60WH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.5 @Vgs=10V Qg-typ 45nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

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