JCS22N50FC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS22N50FC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47.59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 59.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 313 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS22N50FC

JCS22N50FC Datasheet (PDF)

..1. Size:1646K jilin sino
jcs22n50fc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET R JCS22N50FC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U

6.1. Size:1447K jilin sino
jcs22n50abc jcs22n50wc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS22N50ABC WC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: