JCS2N65FC Todos los transistores

 

JCS2N65FC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS2N65FC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.06 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JCS2N65FC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  jilin sino
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JCS2N65FC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson_max5.5 Vgs=10V Qg-typ 8.4 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1225K  jilin sino
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JCS2N65FC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N65B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 5.0 -MAX Qg-typ 5.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.2. Size:1571K  jilin sino
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JCS2N65FC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson_max5.5 Vgs=10V Qg-typ 8.4 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 7.1. Size:1161K  jilin sino
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JCS2N65FC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 650V Rdson-max 5.5 Vgs=10V Qg-Typ 6.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED p

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History: PSMN4R3-100ES | TK20G60W | PSMN4R4-30MLC | FTK3022 | SM2603PSC | SQM120N04-04 | LSG65R290HF

 

 
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