JCS3N80R Todos los transistores

 

JCS3N80R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS3N80R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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JCS3N80R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2081K  jilin sino
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JCS3N80R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

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History: STP8NK80ZFP | INJ0011AM1 | AOD514 | JCS9N95WA | IRF1404ZLPBF | IRF5803 | 2SK2958

 

 
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