JCS40N25ANT Todos los transistores

 

JCS40N25ANT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS40N25ANT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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JCS40N25ANT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1495K  jilin sino
 jcs40n25wt jcs40n25ant.pdf pdf_icon

JCS40N25ANT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS40N25T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 40 A VDSS 250 V Rdson-max 68m @Vgs=10V Qg-typ 87 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1563K  jilin sino
 jcs40n25fc jcs40n25sc jcs40n25wc.pdf pdf_icon

JCS40N25ANT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS40N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 40A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 69m Qg-typ 50.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

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History: SQJ941EP

 

 
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