JCS4AN120FA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS4AN120FA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
JCS4AN120FA Datasheet (PDF)
jcs4an120fa jcs4an120ca jcs4an120sa.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS4AN120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4A VDSS 1200 V Rdson-max 4.0 @Vgs=10V Qg-typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
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History: HGN035N08AL | WM02N08L | CP650 | SWF2N70D
History: HGN035N08AL | WM02N08L | CP650 | SWF2N70D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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