MC10N005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MC10N005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 171 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MC10N005

MC10N005 Datasheet (PDF)

..1. Size:1927K jilin sino
mc10n005.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC10N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 100V Rdson max - 4.5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

7.1. Size:1442K jilin sino
mc10n006.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC10N006 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 130A VDSS 100V Rdson-typ - 5.0m (@Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

7.2. Size:1694K jilin sino
mc10n007l.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC10N007L MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 100V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 86nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

8.1. Size:1268K jilin sino
mc10n020al.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC10N020AL MAIN CHARACTERISTICS Package ID 45A VDSS 100V Rdson-max - 20m (@Vgs=10V Qg-typ 30.5nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

8.2. Size:1508K jilin sino
mc10n020.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC10N020 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 45A VDSS 100V Rdson-typ - 17m (@Vgs=10V Qg-typ 21nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC Converters and switch mode power supplies Synchronous Rectification DC/DCin DC

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: