MC10N005 Todos los transistores

 

MC10N005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MC10N005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 171 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MC10N005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1927K  jilin sino
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MC10N005

N N-CHANNEL MOSFET MC10N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 100V Rdson max - 4.5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

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MC10N005

N N-CHANNEL MOSFET MC10N006 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 130A VDSS 100V Rdson-typ - 5.0m (@Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

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MC10N005

N N-CHANNEL MOSFET MC10N007L MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 100V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 86nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

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MC10N005

N N-CHANNEL MOSFET MC10N020AL MAIN CHARACTERISTICS Package ID 45A VDSS 100V Rdson-max - 20m (@Vgs=10V Qg-typ 30.5nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

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History: AO4612 | AON7466 | FQB13N50CTM | 2N5459 | 2SJ186 | AP65SL190DWL | CS5N65A4

 

 
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