MC10N020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MC10N020
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MC10N020
MC10N020 Datasheet (PDF)
mc10n020.pdf
N N-CHANNEL MOSFET MC10N020 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 45A VDSS 100V Rdson-typ - 17m (@Vgs=10V Qg-typ 21nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC Converters and switch mode power supplies Synchronous Rectification DC/DCin DC
mc10n020al.pdf
N N-CHANNEL MOSFET MC10N020AL MAIN CHARACTERISTICS Package ID 45A VDSS 100V Rdson-max - 20m (@Vgs=10V Qg-typ 30.5nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC
mc10n006.pdf
N N-CHANNEL MOSFET MC10N006 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 130A VDSS 100V Rdson-typ - 5.0m (@Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC
mc10n007l.pdf
N N-CHANNEL MOSFET MC10N007L MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 100V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 86nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC
mc10n005.pdf
N N-CHANNEL MOSFET MC10N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 100V Rdson max - 4.5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC
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