MP4N60ER Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP4N60ER

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: DPAK

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MP4N60ER datasheet

 ..1. Size:839K  jilin sino
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MP4N60ER

N R N-CHANNEL MOSFET MP4N60ER Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4A VDSS 600V Rdson-max 2.5 Vgs=10V Qg-Typ 13nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED po

 8.1. Size:571K  trinnotech
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MP4N60ER

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

 8.2. Size:618K  trinnotech
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MP4N60ER

TMP4N60AZ(G)/TMPF4N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 8.3. Size:543K  cn wuxi unigroup
 tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf pdf_icon

MP4N60ER

TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf

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