MP7AN65ER Todos los transistores

 

MP7AN65ER MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP7AN65ER
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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MP7AN65ER Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1720K  jilin sino
 mp7an65ev mp7an65er mp7an65ec mp7an65ef.pdf pdf_icon

MP7AN65ER

N RN-CHANNEL MOSFET MP7AN65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650V Rdson-max 1.25 Vgs=10V Qg-Typ 20nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

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History: VBZE15N10 | AFN1520 | RJK1021DPN | NTB4302 | SIE864DF | HCS70R710ST | HY3208P

 

 
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