MP7AN65ER MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP7AN65ER
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 30.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.25 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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MP7AN65ER Datasheet (PDF)
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N RN-CHANNEL MOSFET MP7AN65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650V Rdson-max 1.25 Vgs=10V Qg-Typ 20nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED
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