MS65R135R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS65R135R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS65R135R

MS65R135R Datasheet (PDF)

..1. Size:837K jilin sino
ms65r135r.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R135R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.135 @Vgs=10V Qg-typ 60.2 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

8.1. Size:994K jilin sino
ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

8.2. Size:1099K jilin sino
ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R170 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.180 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

8.3. Size:973K jilin sino
ms65r190rf1 ms65r190rge.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R190R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.190 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: