MS65R600F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS65R600F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 33.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
MS65R600F Datasheet (PDF)
ms65r600f ms65r600r.pdf

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R600 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 600m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
ms65r620rf ms65r620rr.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R620R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 620m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R170 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.180 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Liste
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