MS65R600F Todos los transistores

 

MS65R600F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS65R600F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MS65R600F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  jilin sino
 ms65r600f ms65r600r.pdf pdf_icon

MS65R600F

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R600 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 600m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.1. Size:887K  jilin sino
 ms65r620rf ms65r620rr.pdf pdf_icon

MS65R600F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R620R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 620m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.1. Size:994K  jilin sino
 ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf pdf_icon

MS65R600F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.2. Size:1099K  jilin sino
 ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf pdf_icon

MS65R600F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R170 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.180 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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