FDZ372NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDZ372NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDZ372NZ

FDZ372NZ Datasheet (PDF)

..1. Size:291K fairchild semi
fdz372nz.pdf

March 2010FDZ372NZN-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET 20 V, 4.7 A, 50 mFeatures General DescriptionDesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process Max rDS(on) = 50 m at VGS = 4.5 V, ID = 2 Awith state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 60 m at VGS = 2.5 V, ID = 2 Athe FDZ372NZ minimizes both PCB sp

9.1. Size:291K fairchild semi
fdz375p.pdf

April 2010FDZ375PP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.7 A, 78 mFeatures General Description Max rDS(on) = 78 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.0 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 92 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ375P minimizes bot

9.2. Size:284K fairchild semi
fdz371pz.pdf

July 2014FDZ371PZP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.7 A, 75 mFeatures General Description Max rDS(on) = 75 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.0 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 90 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ371PZ minimizes bot

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: