2SK2049 Todos los transistores

 

2SK2049 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2049
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK2049 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  fuji
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2SK2049

N-channel MOS-FET2SK2049F-III Series 60V 0,025 50A 80W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converterswww.DataSheet4U.com> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum

 8.1. Size:398K  1
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2SK2049

 8.2. Size:88K  sanyo
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2SK2049

Ordering number:ENN4630N-Channel Silicon MOSFET2SK2046Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2083B Low-voltage drive.[2SK2046]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.3 2.3SANYO : TPunit:mm2092B[2SK2046]6.5 2.35.0 0.540.5

 8.3. Size:100K  sanyo
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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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