NCE14P40K Todos los transistores

 

NCE14P40K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCE14P40K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NCE14P40K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  ncepower
 nce14p40k.pdf pdf_icon

NCE14P40K

http://www.ncepower.comNCE14P40KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE14P40K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge .ThisDS(ON)device is well suited for high current load applications.General Features V = -40V,I = -30A Schematic diagramDS DR =11m @ V = -10V (Typ)DS(ON) GSR =15m @ V = -4.5V (Ty

 9.1. Size:369K  ncepower
 nce1490.pdf pdf_icon

NCE14P40K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1490NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1490 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =140V,ID =90A RDS(ON)

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