NCE14P40K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE14P40K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 37.4 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 178 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE14P40K
NCE14P40K Datasheet (PDF)
nce14p40k.pdf
http://www.ncepower.comNCE14P40KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE14P40K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge .ThisDS(ON)device is well suited for high current load applications.General Features V = -40V,I = -30A Schematic diagramDS DR =11m @ V = -10V (Typ)DS(ON) GSR =15m @ V = -4.5V (Ty
nce1490.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1490NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1490 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =140V,ID =90A RDS(ON)
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