SDF05N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF05N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SDF05N50 datasheet

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SDF05N50

SDP05N50 SDF05N50 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 500V 5A 1.35 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Ma

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SDF05N50

SDF05N40T a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 400V 5A 2.4 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G G D S SDF SERIES TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Marking Code Delivery Mode RoHS Status Tu

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SDF05N50

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