SDF05N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF05N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 64 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDF05N50
SDF05N50 Datasheet (PDF)
sdf05n50 sdp05n50.pdf
SDP05N50SDF05N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.500V 5A 1.35 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma
sdf05n40t.pdf
SDF05N40TaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.400V 5A 2.4 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGG D SSDF SERIESTO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Marking Code Delivery Mode RoHS StatusTu
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