NCE6020AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE6020AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TO-251

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NCE6020AL datasheet

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NCE6020AL

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NCE6020AL

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

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NCE6020AL

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NCE6020AL

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020A NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020A uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =20A Schematic diagram DS D R

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