SDF04N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF04N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 29 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 11.5 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDF04N60
SDF04N60 Datasheet (PDF)
sdf04n60 sdp04n60.pdf
SDP04N60SDF04N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.600V 4A 2.0 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Mar
sdf04n65 sdp04n65.pdf
SDP04N65SDF04N65aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.650V 4A 2.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Mar
sdf04n40 sdp04n40.pdf
SDP04N40SDF04N40aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.400V 4A 3.0 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Mar
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