SDD05N70 Todos los transistores

 

SDD05N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDD05N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO251 IPAK

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SDD05N70 datasheet

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SDD05N70

Green Product SDU/D05N70 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 700V 5A 1.6 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERIN

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SDD05N70

Green Product SDU/D05N04 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 400V 4A 2.1 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERING INFORMATI

Otros transistores... FQA9P25 , FQAF11N90C , FQAF13N80 , SDD06N70 , FQAF16N50 , FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 , RU7088R , FQB19N20C , SDD05N04 , FQB19N20L , SDD04N65 , FQB1P50 , FQB22P10 , FQB22P10TMF085 , FQB25N33TMF085 .

History: SML4040AN | 2SK2719 | AP8810 | XP161

 

 

 

 

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