2SK2979 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2979
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: UPAK
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2SK2979 datasheet
2sk2976.pdf
Ordering number ENN6003 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2976 DC-DC Converter Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm 4V drive. 2083B [2SK2976] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 4 Drain 2.3 2.3 SANYO TP 2092B [2SK2976] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5 0.85 1 2 3 0.6 1.2 1 Gate 0 to 0.2 2
2sk2977 2sk2977ls.pdf
Ordering number ENN6423 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2977LS DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm 4V drive. 2078B [2SK2977LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 1.2 0.7 0.75 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO220FI-LS Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Rating
2sk2978.pdf
2SK2978 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-659B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.09 typ. (VGS = 4 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5V gate drive devices. Outline UPAK 1 2 3 D 4 G 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain S 2SK2978 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item
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History: 2SK3070 | CSD16401Q5
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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