SDD03N50 Todos los transistores

 

SDD03N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDD03N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: TO251 IPAK

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SDD03N50 datasheet

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SDD03N50

Green Product SDU/D03N50 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 500V 2.6A 2.0 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDER

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SDD03N50

Green Product SDU/D03N04 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 N-Channel Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 400V 2A 3.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERING INFORMATION Ordering Code

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SDD03N50

Green Product SDU/D03N70 SamHop Microelectronics corp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 700V 3A 3.9 @VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERING INF

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History: FQB34P10TMF085

 

 

 

 

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