SDD02N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDD02N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDD02N60
SDD02N60 Datasheet (PDF)
sdu02n60 sdd02n60.pdf
GreenProduct SDU/D02N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.600V 2A 4.7 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN
sdu02n25 sdd02n25.pdf
GreenProductSDU/D02N25aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.250V 2A 3.2 @ VGS=10V Suface Mount Package.GSSDU SERIES SDD SERIESTO - 252AA(D-PAK) TO - 251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)
sdu02n70 sdd02n70.pdf
GreenSDU/D02N70ProductaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.700V 2A 5 @VGS=10VSuface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERING
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Liste
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