BRCS010N04SZC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS010N04SZC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 215 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1860 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS010N04SZC
BRCS010N04SZC Datasheet (PDF)
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BRCS010N03SZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;
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BRCS016N03SZC Rev.B Mar.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF
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BRCS015N04SZC Rev.B Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low R to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance; DS(ON
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BRCS016N03ZC Rev.A Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss, low Gate Charge for fast switching, Low Thermal resistance,
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Liste
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