BRCS035N08SHBD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BRCS035N08SHBD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS035N08SHBD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO-263

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BRCS035N08SHBD datasheet

..1. Size:2015K blue-rocket-elect
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BRCS035N08SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS BMS appliances, High power inve

2.1. Size:1243K blue-rocket-elect
brcs035n08shra.pdf pdf_icon

BRCS035N08SHRA Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications BMS BMS appliances, High power inverter system, Power applianc

2.2. Size:1212K blue-rocket-elect
brcs035n08shzc.pdf pdf_icon

BRCS035N08SHZC Rev.C Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal DS(ON) resista

5.1. Size:1676K blue-rocket-elect
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