BRCS035N10SHZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS035N10SHZC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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BRCS035N10SHZC datasheet

 ..1. Size:1338K  blue-rocket-elect
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BRCS035N10SHZC

BRCS035N10SHZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance

 2.1. Size:1216K  blue-rocket-elect
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BRCS035N10SHZC

BRCS035N10SHBD Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF Product. / Applications BMS High frequency switching and synchronous r

 6.1. Size:2015K  blue-rocket-elect
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BRCS035N10SHZC

BRCS035N08SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS BMS appliances, High power inve

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BRCS035N10SHZC

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