BRCS040N03DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS040N03DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRCS040N03DP datasheet

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BRCS040N03DP

BRCS040N03DP Rev.A Dec. -2021 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC These devices a

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BRCS040N02DP Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 20V I =95A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@4.5V 4mR(Typ.3.7mR) R DS(ON)@2.5V 6mR(Typ.5.5mR) R DS(ON)@2.0V 15mR(Typ.8mR) HF Product. / Applications

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