BRCS050N04YB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS050N04YB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3A-8L
Búsqueda de reemplazo de BRCS050N04YB MOSFET
BRCS050N04YB Datasheet (PDF)
brcs050n04yb.pdf
BRCS050N04YB Rev.A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features V (V) = 40V I =57A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V5mR(Typ.4.5mR) RDS(ON)@4.5V10mR(Typ.6.2mR) HF Product. / Applications
brcs050n04ra.pdf
BRCS050N04RA Rev.A Nov.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC These de
brcs050n04bd.pdf
BRCS050N04BD Rev.B Nov.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF Product. / Applications PFC
brcs050n03zc.pdf
BRCS050N03ZC Rev.B Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF
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History: FQU6P25TU
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