BRCS080C04SC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS080C04SC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 2.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS080C04SC

BRCS080C04SC Datasheet (PDF)

..1. Size:3108K blue-rocket-elect
brcs080c04sc.pdf

BRCS080C04SC Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=40V I =15A V (V)=-40V I =-11A DS D DS DR DS(ON)@-10V

5.1. Size:1813K blue-rocket-elect
brcs080c03ym.pdf

BRCS080C03YM Rev.B Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A MOS Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=24A ID=-24A RDS(ON)

5.2. Size:3030K blue-rocket-elect
brcs080c03ya.pdf

BRCS080C03YA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN33-8L Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =37A V (V)=-30V I =-26A DS D DS DR DS(ON)@-10V

5.3. Size:3320K blue-rocket-elect
brcs080c03sc.pdf

BRCS080C03SC Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =15.5A V (V)=-30V I =-11.5A DS D DS DR DS(ON)@-10V

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Liste

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