BRCS080N04SC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS080N04SC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS080N04SC

BRCS080N04SC Datasheet (PDF)

..1. Size:1268K blue-rocket-elect
brcs080n04sc.pdf

BRCS080N04SC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS = 40V ID =15A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V8mR(Typ.6.4mR) HF Product. / Applications

3.1. Size:1705K blue-rocket-elect
brcs080n04sdp.pdf

BRCS080N04SDP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 40V DSI =54A (V = 20V) D GS RDS(ON)@10V8mR(Typ.7.5mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suite

4.1. Size:1369K blue-rocket-elect
brcs080n04zc.pdf

BRCS080N04ZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 56 N N-Channel MOSFET in a PDFN 56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;

4.2. Size:2391K blue-rocket-elect
brcs080n04yb.pdf

BRCS080N04YB Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID =45 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V8mR(Typ.6.4mR) HFProduct. / Applications DC/DC

4.3. Size:1194K blue-rocket-elect
brcs080n04zb.pdf

BRCS080N04ZB Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID = 40A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: