BRCS12N65BD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BRCS12N65BD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS12N65BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm

Encapsulados: TO-263

Búsqueda de reemplazo de BRCS12N65BD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

BRCS12N65BD datasheet

..1. Size:1239K blue-rocket-elect
brcs12n65bd.pdf pdf_icon

BRCS12N65BD Rev.A Aug.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow

8.1. Size:643K blue-rocket-elect
brcs120p012zj.pdf pdf_icon

BRCS120P012ZJ Rev.B Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -12V ID = -8 A (VGS = 10V) HF Product. / Applications Power

8.2. Size:1299K blue-rocket-elect
brcs120n03ya.pdf pdf_icon

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

8.3. Size:1550K blue-rocket-elect
brcs120p04zc.pdf pdf_icon

BRCS120P04ZC Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 P P-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance; H