BRCS150N10SBD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BRCS150N10SBD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS150N10SBD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-263

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BRCS150N10SBD datasheet

..1. Size:1720K blue-rocket-elect
brcs150n10sbd.pdf pdf_icon

BRCS150N10SBD Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features V =100V ; I =46A DS D R DSON@10V 15m (Type.14.8m ) R DSON@4.5V 25m (Type.20.4m ) HF Product. / Applications PFC

3.1. Size:1213K blue-rocket-elect
brcs150n10sra.pdf pdf_icon

BRCS150N10SRA Rev.A Nov.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC These d

3.2. Size:1040K blue-rocket-elect
brcs150n10sdp.pdf pdf_icon

BRCS150N10SDP Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/

3.3. Size:1031K blue-rocket-elect
brcs150n10szc.pdf pdf_icon

BRCS150N10SZC Rev.A Oct.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance. H

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History: NCE8205B

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