BRCS150N10SBD Todos los transistores

 

BRCS150N10SBD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS150N10SBD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRCS150N10SBD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1720K  blue-rocket-elect
 brcs150n10sbd.pdf pdf_icon

BRCS150N10SBD

BRCS150N10SBD Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features V =100V ; I =46A DS DRDSON@10V15m(Type.14.8m) RDSON@4.5V25m(Type.20.4m) HF Product. / Applications PFC

 3.1. Size:1213K  blue-rocket-elect
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BRCS150N10SBD

BRCS150N10SRA Rev.A Nov.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC These d

 3.2. Size:1040K  blue-rocket-elect
 brcs150n10sdp.pdf pdf_icon

BRCS150N10SBD

BRCS150N10SDP Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/

 3.3. Size:1031K  blue-rocket-elect
 brcs150n10szc.pdf pdf_icon

BRCS150N10SBD

BRCS150N10SZC Rev.A Oct.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance. H

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History: RSD046P05FRA | CS6N120P | KI2325DS

 

 
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