BRCS150P02MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS150P02MC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 205 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS150P02MC

BRCS150P02MC Datasheet (PDF)

..1. Size:1521K blue-rocket-elect
brcs150p02mc.pdf

BRCS150P02MC Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features V (V) = -20V DSI = -7.0A DRDS(ON)@-4.5V17m(Type.15m) HF Product. / Applications Power Management in

4.1. Size:966K blue-rocket-elect
brcs150p02zj.pdf

BRCS150P02ZJ Rev.A Apr.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 22B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -20V ID = -11A RDS(ON)@-4.5V17m(Type.15m) HF Product. / Applications

5.1. Size:1090K blue-rocket-elect
brcs150p04sc.pdf

BRCS150P04SCRev.A May.-2020 DATA SHEET / DescriptionsSOP-8 P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / FeaturesV (V) = -40VDSI = -10 A (V =20V)D GSR

5.2. Size:1067K blue-rocket-elect
brcs150p04dp.pdf

BRCS150P04DP Rev.A Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. HF Product. / Applications

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Liste

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