BRCS18N20DP Todos los transistores

 

BRCS18N20DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS18N20DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRCS18N20DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1498K  blue-rocket-elect
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BRCS18N20DP

BRCS18N20DP Rev.B Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-Channel MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V =200VI =18AV =20V DS D GSRDS(on)@10V170m(Type.130m) RDS(on)@4.5V200m(Type.150m) HF Product. / Applications LED Net

 5.1. Size:1743K  blue-rocket-elect
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BRCS18N20DP

BRCS18N20FA Rev.A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200VI =18AV =20V DS D GSRDS(on)@10V170m(Type.130m) RDS(on)@4.5V200m(Type.150m) HF Product. / Applications LED

 5.2. Size:1765K  blue-rocket-elect
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BRCS18N20DP

BRCS18N20RA Rev.B Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-Channel MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features V =200VI =18AV =20V DS D GSRDS(on)@10V170m(Type.130m) RDS(on)@4.5V200m(Type.150m) HF Product. / Applications LED Net

 9.1. Size:643K  blue-rocket-elect
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BRCS18N20DP

BRCS120P012ZJ Rev.B Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -12V ID = -8 A (VGS = 10V) HF Product. / Applications Power

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