BRCS200N03YN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS200N03YN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2C-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS200N03YN

BRCS200N03YN Datasheet (PDF)

..1. Size:1176K blue-rocket-elect
brcs200n03yn.pdf

BRCS200N03YN Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22C-6L N+N MOS Double N+N-CHANNEL MOSFET in a DFN 22C-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 6.3A (VGS = 20V) HF Product. / Applications Battery protection swit

5.1. Size:645K blue-rocket-elect
brcs200n04zb.pdf

BRCS200N04ZB Rev.B Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 3*3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 3*3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID = 12 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

5.2. Size:864K blue-rocket-elect
brcs200n04dsc.pdf

BRCS200N04DSC Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N Power Trench MOS Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Low RDS(ON),Low gate charge, use for a wide range of power conversion applications

5.3. Size:1292K blue-rocket-elect
brcs200n04ya.pdf

BRCS200N04YA Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN33-8L Plastic Package. / Features V =40V I =19A DS DRDS(ON)@10V

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Liste

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