BRCS250N03YA Todos los transistores

 

BRCS250N03YA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS250N03YA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
 

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BRCS250N03YA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  blue-rocket-elect
 brcs250n03ya.pdf pdf_icon

BRCS250N03YA

BRCS250N03YA Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS DoubleN-CHANNELMOSFETinaPDFN33-8LPlasticPackage. / Features N-channel VDS(V)=30V ID=20A RDS(ON)

 4.1. Size:1365K  blue-rocket-elect
 brcs250n03dmf.pdf pdf_icon

BRCS250N03YA

BRCS250N03DMF Rev.A Nov.-2021 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS Dual N-Channel MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low R ,Rugged and reliable,HF product. DS(ON) / Applications

 4.2. Size:1393K  blue-rocket-elect
 brcs250n03dsc.pdf pdf_icon

BRCS250N03YA

BRCS250N03DSC Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V (V)=30V I =7.5A DS DRDS(ON)@10V

 6.1. Size:1129K  blue-rocket-elect
 brcs250n10syb.pdf pdf_icon

BRCS250N03YA

BRCS250N10SYB Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 100V ID =22A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) HF Product. / Applications DC/DC AC/DC

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History: PHD9NQ20T | FHU2N60A | LNC06R230 | HGN119N15S

 

 
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