BRCS250N10SDP Todos los transistores

 

BRCS250N10SDP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS250N10SDP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRCS250N10SDP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2301K  blue-rocket-elect
 brcs250n10sdp.pdf pdf_icon

BRCS250N10SDP

BRCS250N10SDP Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) RDS(ON)@4.5V35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

 3.1. Size:1129K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SDP

BRCS250N10SYB Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 100V ID =22A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) HF Product. / Applications DC/DC AC/DC

 3.2. Size:2335K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SDP

BRCS250N10SIP Rev.A Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) RDS(ON)@4.5V35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

 6.1. Size:915K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SDP

BRCS250N03YA Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS DoubleN-CHANNELMOSFETinaPDFN33-8LPlasticPackage. / Features N-channel VDS(V)=30V ID=20A RDS(ON)

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History: P8010BD

 

 
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