BRCS250N10SYB Todos los transistores

 

BRCS250N10SYB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS250N10SYB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3A-8L

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BRCS250N10SYB datasheet

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BRCS250N10SYB

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BRCS250N10SYB

BRCS250N10SIP Rev.A Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@10V 25mR(Typ.20mR) R DS(ON)@4.5V 35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

 3.2. Size:2301K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SYB

BRCS250N10SDP Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@10V 25mR(Typ.20mR) R DS(ON)@4.5V 35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

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BRCS250N10SYB

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History: PT542BA | PZD502CYB | UPA2211T1M | SUM90N08-6M2P | AOK18N65

 

 

 

 

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