BRCS250N10SYB Todos los transistores

 

BRCS250N10SYB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS250N10SYB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3A-8L
 

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BRCS250N10SYB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1129K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SYB

BRCS250N10SYB Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 100V ID =22A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) HF Product. / Applications DC/DC AC/DC

 3.1. Size:2335K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SYB

BRCS250N10SIP Rev.A Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) RDS(ON)@4.5V35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

 3.2. Size:2301K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SYB

BRCS250N10SDP Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) RDS(ON)@4.5V35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

 6.1. Size:915K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SYB

BRCS250N03YA Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS DoubleN-CHANNELMOSFETinaPDFN33-8LPlasticPackage. / Features N-channel VDS(V)=30V ID=20A RDS(ON)

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History: SVF10N65K | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | QM3802S | 2N6917 | K2611SB

 

 
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