BRCS300P016MC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS300P016MC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Encapsulados: SOT23
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BRCS300P016MC datasheet
brcs300p016zj.pdf
BRCS300P016ZJ Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 2 2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2 2B-6L Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -11A DS D R DS(ON)@-4.5V 32m HF Product. / Applications
brcs300p02zj.pdf
BRCS300P02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -20V ID = -8A RDS(ON)@-4.5V 30m HF Product. / Applications
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History: IXFH20N100P
History: IXFH20N100P
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Liste
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