BRCS30N02DP Todos los transistores

 

BRCS30N02DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS30N02DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRCS30N02DP datasheet

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BRCS30N02DP

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BRCS30N02DP

Otros transistores... BRCS26N50PA , BRCS26N50PH , BRCS2C5N08EMA , BRCS2N65AA , BRCS2N65IP , BRCS2N65QF , BRCS300P016MC , BRCS300P016ZJ , IRF1407 , BRCS30N02IP , BRCS30N10DP , BRCS30P10IP , BRCS3134WA , BRCS3134ZK , BRCS3139ZK , BRCS3400MA , BRCS3404MA .

 

 

 


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