BRCS3134ZK Todos los transistores

 

BRCS3134ZK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS3134ZK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.442 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

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BRCS3134ZK datasheet

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BRCS3134ZK

BRCS3134ZK Rev.C Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up t

 6.1. Size:1481K  blue-rocket-elect
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BRCS3134ZK

BRCS3134WA Rev.C Nov.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 N MOS N-Channel MOSFET in a SOT-323 Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV, HF Product. / Applications

 7.1. Size:1784K  blue-rocket-elect
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BRCS3134ZK

BRCS3139ZK Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package. / Features V =-20V I =-0.7A V = 12V DS D GS R DS(on)@-4.5V 520m (Type.390m ) R DS(on)@-2.5V 780m (Type.530m ) R DS(on)@-1.8V 1100m (Type.700m ) ES

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BRCS3134ZK

Otros transistores... BRCS2N65QF , BRCS300P016MC , BRCS300P016ZJ , BRCS30N02DP , BRCS30N02IP , BRCS30N10DP , BRCS30P10IP , BRCS3134WA , SI2302 , BRCS3139ZK , BRCS3400MA , BRCS3404MA , BRCS3404MC , BRCS3411MF , BRCS350P04DP , BRCS3710LDP , BRCS3710LRA .

 

 

 


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