BRCS40P03DP Todos los transistores

 

BRCS40P03DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS40P03DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRCS40P03DP datasheet

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BRCS40P03DP

BRCS40P03DP Rev.C Mar.-2021 DATA SHEET / Descriptions P TO-252 P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R DS(on) Low RDS(on),High Current Capability. Halogen-free Product. / Applications / AC-in load switch,

 5.1. Size:880K  blue-rocket-elect
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BRCS40P03DP

BRCS40P03IP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions P TO-251 P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R DS(on) Low R ,High Current Capability, HF Product. DS(on) / Applications / AC-in load switch,Battery p

 8.1. Size:1502K  blue-rocket-elect
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BRCS40P03DP

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BRCS40P03DP

BRCS400P03SC Rev.B Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features V (V) = -30V I = -6.9A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@-10V 30m (Typ.28.5m ) R DS(ON)@-4.5V 55m (Typ.40m ) HF Product. / Applications

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