BRCS50N06BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS50N06BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 47.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS50N06BD

BRCS50N06BD Datasheet (PDF)

..1. Size:932K blue-rocket-elect
brcs50n06bd.pdf

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

5.1. Size:906K blue-rocket-elect
brcs50n06ra.pdf

BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications

5.2. Size:837K blue-rocket-elect
brcs50n06dp.pdf

BRCS50N06DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

5.3. Size:861K blue-rocket-elect
brcs50n06ip.pdf

BRCS50N06IP Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies, HF Product. / Applications

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