BRCS50N06IP Todos los transistores

 

BRCS50N06IP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS50N06IP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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BRCS50N06IP Datasheet (PDF)

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BRCS50N06IP

BRCS50N06IP Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies, HF Product. / Applications

 5.1. Size:932K  blue-rocket-elect
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BRCS50N06IP

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

 5.2. Size:906K  blue-rocket-elect
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BRCS50N06IP

BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications

 5.3. Size:837K  blue-rocket-elect
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BRCS50N06IP

BRCS50N06DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

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History: 2N7001

 

 
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