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BRD65R1K0C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD65R1K0C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRD65R1K0C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1063K  blue-rocket-elect
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BRD65R1K0C

BRD65R1K0C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio

 8.1. Size:1078K  blue-rocket-elect
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BRD65R1K0C

BRD65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio

 8.2. Size:1893K  blue-rocket-elect
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BRD65R1K0C

BRD65R600C Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R Qg100% ROHS DS(on)Very low R Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant, HF Product. DS(on) / App

 8.3. Size:1129K  blue-rocket-elect
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BRD65R1K0C

BRD65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio

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History: SI3853DV

 

 
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