BRD65R1K0C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD65R1K0C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD65R1K0C
BRD65R1K0C Datasheet (PDF)
brd65r1k0c.pdf
BRD65R1K0C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio
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BRD65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio
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BRD65R600C Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R Qg100% ROHS DS(on)Very low R Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant, HF Product. DS(on) / App
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BRD65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio
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BRD65R280C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio
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