BRD65R650C Todos los transistores

 

BRD65R650C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD65R650C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRD65R650C datasheet

 ..1. Size:1078K  blue-rocket-elect
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BRD65R650C

BRD65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio

 7.1. Size:1893K  blue-rocket-elect
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BRD65R650C

BRD65R600C Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R Qg 100% ROHS DS(on) Very low R Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant, HF Product. DS(on) / App

 8.1. Size:1063K  blue-rocket-elect
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BRD65R650C

BRD65R1K0C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio

 8.2. Size:1129K  blue-rocket-elect
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BRD65R650C

BRD65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applicatio

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History: AP3N4R5H | XP152A12C0MR-G | CPC3730

 

 

 

 

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